與哪些因素有關(guān)？H2SO4濃度。改變H2SO4濃度對(duì)氧化膜的阻擋層厚度，溶液的導(dǎo)電性、陽(yáng)極氧化膜的耐蝕性和耐磨性以及后處理的封孔質(zhì)量都將產(chǎn)生一定的影響。H2SO4濃度阻擋層厚度維持電壓耐蝕、耐磨性氣化膜質(zhì)量膜層發(fā)灰，疏松，膜孔外層孔徑大，封孔困難，槽液溫度陽(yáng)極氧化過程中，部分電能會(huì)轉(zhuǎn)化為熱能，槽液溫度會(huì)不斷上升，而隨著溫度的上升，膜層損失會(huì)增加而且成膜質(zhì)量變差，膜耐磨性下降，尤其對(duì)15um以上膜層，甚至在空氣中就會(huì)出現(xiàn)“粉化”現(xiàn)象，因此過程中需要對(duì)槽液降溫，以維持適宜的溫度。一般來(lái)說：槽溫在一定范圍內(nèi)提高，獲得陽(yáng)極氧化膜重量減小，膜變軟但較光亮。槽液溫度高，生成的氧化膜外層膜孔徑和度變大，造成封孔困難，也易產(chǎn)生封孔“粉霜”。槽溫較高時(shí)，陽(yáng)極氧化膜易染色。但對(duì)于保持顏色深淺一致時(shí)較難，所以一般染色膜的陽(yáng)極氧化溫度為20~25℃降低溫度，得到的氧化膜硬度高，耐磨性好，在陽(yáng)極氧化過程中維持電流密度所需電壓較高，能耗大，所以一般普通陽(yáng)極氧化選擇18~22℃

　　氧化電壓陽(yáng)極氧化電壓決定氧化膜的孔徑大小，低壓生成的膜孔徑小，孔數(shù)多，而高壓生成的膜孔徑大，孔數(shù)小，一定范圍內(nèi)高壓有利于生成致密，均勻的膜。

　　電流密度電流密度大，成膜快，生產(chǎn)效率高，但過高則易燒傷工件。一般電流密度控制在1.2~1.8A/dm2范圍內(nèi)電流密度低，生產(chǎn)效率低，但處理面光亮（約1A/dm2）電流密度高，成膜快，但易產(chǎn)生軟膜，甚至燒傷如果冷凍能力足夠，攪拌良好，則采用較大電流陽(yáng)極氧化，有利于提高膜的耐磨性。

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